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フォトゲート
一部のイメージセンサに用いられているMOS構造の受光素子。バイアスを印加した状態で電極を透過した光を吸収して空乏層に電荷を蓄積します。印加電圧で電荷の蓄積を制御できますが、電極での光吸収があるため感度は低いです。
静電誘導サイリスタ
SITのドレインをp型層にした構造のスイッチング素子。ゲートに電圧をかけていないときはオン、負電圧を印加して少数キャリアを引き抜いた上でチャネルを閉じるとターンオフします。GTOよりも高速な動作が可能です。
HEMT
n型半導体と高純度真性半導体のヘテロ接合界面に現れる高い移動度の2次元電子ガスを利用したトランジスタ。ゲートからn型層を空乏化させることで電子ガス濃度を制御します。高周波帯の低雑音アンプ用に用いられています。
閉磁路型コイル
閉じた形状の磁性体コアに線を巻きつけた構造のインダクタ素子。漏れ磁束が少ないため周囲へ影響を与えにくく、インダクタンスを大きくできます。磁気飽和しやすいため大きな直流電流が流れる用途には不向きです。
半導体ガスセンサ
酸化物半導体の表面にガス分子が吸着すると電気伝導度が変化することを利用したガスセンサ。材料によって検出できるガス種が異なります。感度を高めるため最適温度まで加熱するヒーターが備わっています。